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專利號:200810081760
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有機EL器件的制造方法

本發明的目的是提供一種制造有機EL器件的方法,作為鈍化層極好的透明性的結果,該方法可通過該有機EL器件實現極好的顏色再現性。在制造設置有鈍化層的有機EL器件中通過CVD法形成鈍化層期間,在保持氣體組成比不變的情況下調節氣體壓力,以層疊其中內應力是壓應力的層和其中內應力是拉應力的層。

有機EL器件的制造方法

一種制造具有鈍化層的有機EL器件的方法,其中在通過CVD法形成鈍化層的期間,在保持氣體組成比不變的情況下調節氣體壓力,以層疊其中內應力是壓應力的層和其中內應力是拉應力的層。
 


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專利號: 200810081760
申請日: 2008年3月6日
公開/公告日: 2008年10月1日
授權公告日:
申請人/專利權人: 富士電機控股株式會社
國家/省市: 日本(JP)
郵編:
發明/設計人: 荻野慎次
代理人: 范征
專利代理機構: 上海專利商標事務所(31100)
專利代理機構地址: 上海市桂平路435號(200233)
專利類型: 發明
公開號: 101277563
公告日:
授權日:
公告號: 000000000
優先權: 日本2007年3月26日2007-079844
審批歷史:
附圖數: 3
頁數: 14
權利要求項數: 1
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